Metallilise räni klassifikatsioon puhtusastme järgi

Apr 14, 2025 Jäta sõnum

Metallurgiline räni jaguneb erinevatesse klassidesse sõltuvalt puhtusastmest, mis määrab selle kasutamise erinevates tööstusharudes. Siin on üksikasjalik klassifikatsioon:

1. Metallurgiline räni (MG-Si)

Puhtus:97-99% räni

Peamised lisandid:

Raud (Fe): 0,5% või vähem

Alumiinium (Al): 0,5% või vähem

Kaltsium (Ca): 0,3% või vähem

Peamised rakendused:

Alumiiniumsulamid(nt autoosad, kosmosekomponendid).

Tootmineräni teras(elektritrafode jaoks).

Tooraine jaoksferrosiliitsiumi sulamid(kasutatakse terase tootmisel).

Tootmine: Toodetud karbotermilise redutseerimise teel elektrikaarahjudes.

2. Räni keemiline klass

Puhtus: suurem või võrdne 99%räni

Peamised lisandid:

Fe: vähem kui 0,4% või sellega võrdne

Al: vähem kui 0,4% või sellega võrdne

Ca: vähem kui 0,1% või sellega võrdne

Peamised rakendused:

Tooraine tootmisekssilikoonid(hermeetikud, määrdeained, vaigud).

Tootminepolüräni(kasutades puhastusprotsesse nagu Siemensi meetod).

Rafineerimine: Edasine töötlemine lisandite eemaldamiseks kasutamiseks keemiatööstuses ja päikeseenergias.

3. Elektrooniline räni (EG-Si)

Puhtus: suurem kui 99 või sellega võrdne0,9999% (puhtus 6N+)

Peamised lisandid:

Boor (B), fosfor (P): < 1 ppb (osa miljardi kohta).

Raskmetallid (nt Cu, Ni): < 0,1 ppb.

Peamised rakendused:

Pooljuhtvahvlidintegraallülituste (IC) ja mikrokiipide jaoks.

Fotogalvaanilised (PV) elemendidpäikesepaneelide jaoks.

Tootmine:

Saada alatespolüränikasutades selliseid protsesse nagu Czochralski meetod (CZ) või ujuvtsooni meetod (FZ).

Nõuab ülikõrget puhastamist (nt tsooni rafineerimine, keemiline aurustamine-sadestamine).

4. Päikesekvaliteediga räni (SoG{0}}Si)

Puhtus:99,9999% (6N) kuni 99,99999% (7N).

Vahepealne võimalus keemia- ja elektroonikatundide vahel.

Rakendus:

Kasutatakse peamiselt aastalpäikese fotogalvaanilised elemendid.

Majanduslik efektiivsus: Leebemad puhtusnõuded kui e-klassil, vähendades tootmiskulusid.

Põhimärkused

Polüräni versus metallurgiline räni:

Поликремний (>99,9999% Si) toodetakse keemilise puhtusega ränist ja see on EG-Si ja SoG-Si lähteaine.

Lisandite mõju:

Isegi väikesed lisandid (näiteks Fe, Al) halvendavad pooljuhtide elektrilisi omadusi.

Puhtamate klasside saamiseks on vaja täiustatud puhastustehnoloogiaid (nt destilleerimine, gaasifaasiline rafineerimine).